リフトオフプロセス
ウエットエッチングを用いたプロセスでは配線形成が困難な金属(Pt、Ta等)やウエットエッチングは可能だが、膜構成によっては下層へのダメージが懸念される場合(ITO上のSiO2等)に用います。
対応金属膜
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/03/img_liftoff_kinzokumaku.jpg)
Pt、Ta、SiO2、SiNなど
- 最小L/S=10/10μm
- 配線高さ=~2μm
- 対応基板サイズ
~200×200mm
~Φ200mm
工程フロー
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/liftoff_flow1.png)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/liftoff_flow2.png)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/liftoff_flow3.png)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/liftoff_flow4.png)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/liftoff_flow5.png)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/sp_liftoff_flow1.gif)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/sp_liftoff_flow2.gif)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/sp_liftoff_flow3.gif)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/sp_liftoff_flow4.gif)
![](https://www.at-micro.co.jp/wp-content/uploads/2023/04/sp_liftoff_flow5.gif)
ウエットエッチングを用いたプロセスでは配線形成が困難な金属(Pt、Ta等)やウエットエッチングは可能だが、膜構成によっては下層へのダメージが懸念される場合(ITO上のSiO2等)に用います。
Pt、Ta、SiO2、SiNなど
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